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C系列-氣相沉積爐
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熱誘導化學氣相沉積 (英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質,半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度。
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